本周三，在台北的英特尔开发技术论坛会上，德国英飞凌公司（Infineon）称，大约一年半后他们将向客户展示他们的DDR3存储芯片，同时，他们也表示，希望在即将到来的美国半导体行业标准协会(JEDEX)会议上，能够听到三星公司关于DDR3设计构想。
据美国IDG技术信息服务公司报道，英飞凌公司（Infineon）的产品销售工程师Jessica Chen先生说，德国慕尼黑的存储芯片供应商可能会在2006年底向客户展示DDR3样品。理论上，DDR3的批量生产将在2007年底开始。
英飞凌公司（Infineon）在2003年3月开始对DDR2进行取样，大约在16个月前，第一款支持该产品的平台，Intel的915P/G和925X芯片组，开始投入商业交易。通过对比，尔必达(Elpida)和三星在2002年中期开始对DDR2进行测试，几乎是在两年以后投入了商业交易。
三星公司称，在2月中旬他们就已经生产了世界第一块512MB存储芯片，符合下一代DDR3的标准，能够运行在1066MHz下，工作电压1.5V，数据传输率1066Mbps。三星公司表示DDR3存储芯片将使用80nm的技术工艺。现行的DDR和DDR2使用的是90nm的工艺。
与DDR相比，DDR2不仅有微小结构上的优势，而且在ODT技术上除了较大的4-bit位宽、累加延迟时间还有增大了存储量，而DDR3的特点是自行驱动校正和数据同步。
三星引用市场调查公司IDC的话说，第一款DDR3存储器将在2006年上市，并且占2009年全部市场的65％。
Intel公司在2007年的计划中包括支持DDR3存储器的平台，这样的计划可以对芯片制造商安排2007年的生产计划起到促进作用。然而，一些制造商也为non-PC设备应用程序提供了DDR3的支持，像网络设备，这比Intel支持台式机的DDR3计划还要早。（第三媒体 2005-04-13）