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解剖Rambus DRAM内存（5） |
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作者：第三媒体
来源：www.TheThirdMedia.com
日期：2000-03-24
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[摘要]
在前一讲，我们提到RDRAM的巨大发热量的问题，其实这个问题的根源也正好就是RDRAM的优势——高工作频率！也就是说，RDRAM的高工作频率既是RDRAM高性能的创造者，也是RDRAM高发热量的罪魁祸首... |
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[正文]
在前一讲，我们提到RDRAM的巨大发热量的问题，其实这个问题的根源也正好就是RDRAM的优势——高工作频率！也就是说，RDRAM的高工作频率既是RDRAM高性能的创造者，也是RDRAM高发热量的罪魁祸首。本讲内容我们将讨论RDRAM的生产检测问题。
7、放弃检测
RDRAM正如前文所述，RDRAM复杂度远远超过SDRAM，同时，RDRAM的这种结构复杂性产生的问题也进入了RDRAM的硅工艺生产中。对于同样的蚀刻工艺，一片典型的RDRAM要比SDRAM的冲模尺寸大20%，既然尺寸与复杂度都上升，RDRAM的产量与成品合格率也就下降了；同时，随着芯片的设计工作频率的提高，产品的合格率也会相应下降。糟糕的是，RDRAM不但冲模尺寸比SDRAM大，复杂性也更高，而且工作频率也比SDRAM快，因此RDRAM的产量就严重下降了。
检测RDRAM是非常棘手的，因为这种RDRAM一般使用micro-BGA封装，而且还有全速运行的苛刻的热条件；并且，测试一片全速运行的RDRAM芯片也是不现实的，只有多个芯片组装成完整的RIMM后才能解决这个问题。显然，这种检测困难也严重影响了产量，并且一片RDRAM芯片坏了也可能导致整个RIMM被废弃。（Puma译 3-27）
Puma注：Intel为了促使各内存芯片大厂生产RDRAM，曾给予他们数千万美圆的好处，但是各内存芯片厂还是积极性不高，究其原因，主要就是前述的RDRAM的固有问题导致RDRAM的成品率低，生产产量低，生产成本高，因此各厂商无不怨声载道。（Puma 3-27）
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