据报道,台积电最近发布了45nm制程计划,根据这份计划,首先采用台积电45nm工艺的芯片将是低功耗产品,然后将是多款45nm技术的衍生产品,然后台积电将在2007年第四季度开始低功耗芯片的“冒险生产”阶段。 为了帮助从65nm制程向45nm制程过渡,台积电采用新的low-k夹层电介质材料,采用沉浸光蚀刻技术,但是这种技术也可能带来潜在问题。台积电目前要面对的问题是台积电还没有接受高极限晶体管设计。台积电之前被报道在90nm向80nm过渡当中,遇到类似问题。
ATi和nVIDIA都对台积电有极大兴趣,ATi目前和台积电在80nm图型芯片上密切合作,并且规划在2007年推出65nm工艺图型芯片。ATi原来图型芯片蓝图显示,RV560和RV570都将采用台积电80nm工艺,但是现在转向采用更成熟的90nm工艺,nVIDIA也宣布近期不会采用台积电80nm工艺,因此目前没有80nm工艺图型芯片产品规划。
(第三媒体 2006-05-23)